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参数目录38314
> IRF7707GTRPBF MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
型号:
IRF7707GTRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF7707GTRPBF PDF
产品变化通告
Product Discontinuation 08/Jul/2011
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
22 毫欧 @ 7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
47nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2361pF @ 15V
功率 - 最大
1.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装
8-TSSOP
包装
剪切带 (CT)
其它名称
IRF7707GTRPBFCT
查看IRF7707GTRPBF代理商
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